一种电磁兼容优化装置
授权
摘要
本实用新型提供一种电磁兼容优化装置，其特征在于，包括：钳位电路和屏蔽装置；所述钳位电路包括电容、电阻和晶体管，其中，所述晶体管为氮化镓场效应晶体管，所述屏蔽装置包括金属屏蔽片，其中，所述金属屏蔽片包括至少一个接地点。获得了小型化的、有效地电磁兼容装置，极大地优化了电磁兼容装置的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种电磁兼容优化装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020383206.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-23
授权号 ：
CN211701846U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
马超
申请人 ：
安克创新科技股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市高新开发区尖山路39号长沙中电软件园有限公司一期七栋7楼701室
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
高伟
优先权 ：
CN202020383206.8
主分类号 ：
H02M1/44
IPC分类号 ：
H02M1/44 H02M3/335
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
