稳流ALD加热炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种稳流ALD加热炉，包括筒状腔体，筒状腔体的两端设置有炉门，其内部设置有导流腔，导流腔的外壁设置有加热组件对导流腔内部进行加热，导流腔的底部设置支撑部件对导流腔进行支撑，导流腔内设置有舟体用于放置硅片，所述舟体的尾端连接一个口径逐渐减少的锥形内罩，锥形内罩连接第一排气管，第一排气管穿过尾端的炉门，锥形内罩与舟体端部之间设置一个与均流板，均流板设置矩阵设置多个透气孔。均流板有效的保证在抽真空时气体能够平稳均匀的流出，不易有紊流的情况发生，保证镀膜厚度的均匀。
基本信息
专利标题 ：
稳流ALD加热炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020392304.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-24
授权号 ：
CN212451626U
授权日 ：
2021-02-02
发明人 ：
姜涛安锦湖李世磊
申请人 ：
无锡市正罡自动化设备有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山经济开发区厚桥街道安泰二路2882号
代理机构 ：
北京挺立专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
沃赵新
优先权 ：
CN202020392304.8
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-02-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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