用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种用于制备石墨托盘CVD‑SiC涂层的水平上顶式旋转装置，包括：旋转组件设置有一大支撑旋转轴，大支撑旋转轴底部设置有一突出轴，大支撑旋转轴通过突出轴穿设在一炉底，突出轴穿过炉底固定设置在一炉外承力装置内；承载组件设置有大承力板和四根支架，大承力板固定设置在大支撑旋转轴的上端，支架竖直设置在所述大承力板上，支架上设置有多层承力板，承力板的中心均开设有中心孔，中心孔内均设置有一托盘支撑轴，托盘支撑轴的上端均设置有石墨托盘。本装置结构稳定、使用便捷，涂层制备均匀且纯度高，具有装炉率高、合格率高、生产效率高等特点，能够满足各行业MOCVD外延用的SiC涂层的石墨托盘等产品的生产需要。
基本信息
专利标题 ：
用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020405979.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-26
授权号 ：
CN212025451U
授权日 ：
2020-11-27
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
湖南兴晟新材料科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省株洲市石峰区联诚路“株洲轨道交通创新创业园三期时代社区”3号厂房
代理机构 ：
长沙轩荣专利代理有限公司
代理人 ：
张勇
优先权 ：
CN202020405979.1
主分类号 ：
C23C16/32
IPC分类号 ：
C23C16/32 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/32
碳化物
法律状态
2020-11-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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