防溢蒸晶圆蒸发台
授权
摘要
本实用新型公开了防溢蒸晶圆蒸发台，包括基板，所述基板的上表面中间位置设置有台体，且基板的顶部开设有固定腔，所述台体的下表面中间位置焊接有底盘，且台体的底部固定安装有定位套，所述台体的下表面中间位置通过定位套垂直活动安装有驱动轴，所述台体的外表面设置有罩壳，且基板的上表面焊接有和罩壳相对应的固定座，所述固定座的横截面形状为圆环形。本实用新型中，蒸发台组装的密封效果优异且可对外壳的表面进行升温以避免起雾影响对晶圆加工的实时观察，同时，晶圆卡合固定可防止在旋转的过程中移位且设有漏斗型导液通道，使得金属蒸汽沿固定区域准确镀膜，提高晶圆的镀膜覆盖率和减少了蒸汽损失以提高利用率。
基本信息
专利标题 ：
防溢蒸晶圆蒸发台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020409421.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-27
授权号 ：
CN212375370U
授权日 ：
2021-01-19
发明人 ：
田英干
申请人 ：
嘉兴晶装电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市嘉善县罗星街道归谷园区创业中心A座433室
代理机构 ：
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王大国
优先权 ：
CN202020409421.0
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 C23C14/24 C23C14/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2021-01-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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