一种强磁场的光纤隔离器结构
授权
摘要
本实用新型涉及光学器件领域，具体为一种强磁场的光纤隔离器结构。常规光纤隔离器因为磁场强度较小，因而磁光晶体的长度较长，导致磁光晶体的吸收现象较大。本实用新型提供了一种新型的光纤隔离器结构，其通过对内部磁铁4采用创新的排列结构，可以显著的提高磁场强度，缩短磁光晶体的长度，减少磁光晶体的吸收现象，提高光纤隔离器的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种强磁场的光纤隔离器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020428119.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-30
授权号 ：
CN211905907U
授权日 ：
2020-11-10
发明人 ：
马云亮司旭
申请人 ：
上海传输线研究所(中国电子科技集团公司第二十三研究所)
申请人地址 ：
上海市杨浦区逸仙路135号
代理机构 ：
上海市嘉华律师事务所
代理人 ：
黄琮
优先权 ：
CN202020428119.X
主分类号 ：
G02F1/095
IPC分类号 ：
G02F1/095
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/09
基于磁—光元件的，例如，呈现法拉第效应的
G02F1/095
在光导设备中的
法律状态
2020-11-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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