一种光信号发射器件
授权
摘要

本发明公开了激光二极管领域的一种光信号发射器件,光信号发射器件包括驱动芯片组件、激光器TEC组件和壳体,驱动芯片组件和激光器TEC组件封装于所述壳体中,激光器TEC组件中的激光器热沉基板包括用于安装激光二极管芯片的第一部分和用于安装棱镜的第二部分,第一部分上具有用于安装半导体激光器LD的镀层,激光器热沉基板上还有用于定位所述棱镜的定位结构。本发明的有益效果在于,避免了驱动芯片和半导体激光器之间长的走线,降低了长的走线带来的寄生电感和寄生电容,解决了寄生电感、寄生电容以及阻抗不匹配等带来的影响高频信号质量的问题,提高了光发射器件的使用带宽,使得光信号发射器件更适合应用于高速率光通信设备。

基本信息
专利标题 :
一种光信号发射器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020434456.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-30
授权号 :
CN211456208U
授权日 :
2020-09-08
发明人 :
维卡斯·马南赖人铭
申请人 :
成都英思嘉半导体技术有限公司
申请人地址 :
四川省成都市高新区益州大道中段722号1栋1单元20层2002号
代理机构 :
四川力久律师事务所
代理人 :
韩洋
优先权 :
CN202020434456.X
主分类号 :
H01S5/022
IPC分类号 :
H01S5/022  H01S5/024  
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法律状态
2020-09-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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