一种部分氧化布拉格反射层结构的LED芯片
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种部分氧化布拉格反射层结构的LED芯片，该LED芯片结构从下往上依次设置n电极层、GaAs衬底、缓冲层、布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层、GaP窗口层、p电极层。本实用新型通过采用上下两层复合布拉格反射层结构，其中下层设有氧化区域，经过对下层布拉格反射层进行部分氧化后，提高了出光效率，达到了提升芯片亮度的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种部分氧化布拉格反射层结构的LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020501383.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-08
授权号 ：
CN212011014U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
王克来白继锋徐培强张银桥王向武潘彬
申请人 ：
南昌凯迅光电有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市新建区临空经济区中小微企业园办公楼二楼
代理机构 ：
南昌大牛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
喻莎
优先权 ：
CN202020501383.1
主分类号 ：
H01L33/10
IPC分类号 ：
H01L33/10 H01L33/00 H01L33/30 H01L33/22
法律状态
2022-02-22 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 33/10
变更事项 : 专利权人
变更前 : 南昌凯迅光电有限公司
变更后 : 南昌凯迅光电股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 330100 江西省南昌市新建区临空经济区中小微企业园办公楼二楼
变更后 : 330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 南昌凯迅光电有限公司
变更后 : 南昌凯迅光电股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 330100 江西省南昌市新建区临空经济区中小微企业园办公楼二楼
变更后 : 330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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