一种基于纳米孔辅助的弱耦合少模光纤

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种基于纳米孔辅助的弱耦合少模光纤，属于光纤通信领域。其特征在于：包括贯穿全光纤的纳米孔(Ⅰ)、围绕在纳米中心孔(Ⅰ)周围的纤芯(Ⅱ)，覆盖纳米孔(Ⅰ)和纤芯(Ⅱ)的第一包层(Ⅲ)，以及覆盖纳米孔(Ⅰ)、纤芯(Ⅱ)和第一包层(Ⅲ)的第二包层(Ⅳ)。通过在纤芯(Ⅱ)特定区域添加纳米孔(Ⅰ)的方式改变特定模式的场分布，从而增大总体模式间的有效折射率差，实现弱耦合的特性，降低了模分复用系统中MIMO的复杂度。本实用新型可以在保持传输模式数量的同时实现比普通少模光纤更大的模式之间的有效折射率差，避免了采用高掺锗和复杂折射率剖面等方式带来的传输损耗增加、高阶模式弯曲损耗大等问题，结构简单易于制作。

基本信息

专利标题：

一种基于纳米孔辅助的弱耦合少模光纤

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020511865.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-09

授权号：

CN211928230U

授权日：

2020-11-13

发明人：

解宇恒裴丽郑晶晶赵琦宁提纲李晶

申请人：

北京交通大学

申请人地址：

北京市海淀区西直门外上园村3号

代理机构：

北京市诚辉律师事务所

代理人：

杨帅峰

优先权：

CN202020511865.5

主分类号：

G02B6/02

IPC分类号：

G02B6/02 G02B6/036