IGBT器件的散热结构
授权
摘要
本实用新型涉及电子元器件领域，尤其涉及一种IGBT器件的散热结构。所述IGBT器件设置于铝片上，包括分别设置于IGBT器件与铝片之间的陶瓷板和导热胶，所述导热胶一侧面贴附于铝片表面上，所述陶瓷板一侧面与导热胶另一侧面粘接，所述陶瓷板另一侧面镀有金材料用以与IGBT器件焊接固定。通过采用陶瓷板替代绝缘散热垫的方式，使得产品硬度相对更硬，厚度也相对更厚，从而不会因为异物或装配过程绝缘散热垫破损，压坏等情况，杜绝IGBT被击穿风险，替换绝缘散热垫的陶瓷板厚度保持在1mm，搭配上自带双面粘胶的导热胶，不仅便于安装，同时导热系数大于绝缘散热垫，达到良好的散热效果。
基本信息
专利标题 ：
IGBT器件的散热结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020526471.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-10
授权号 ：
CN211702828U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
谢庆伟王衍辉郑昕斌王文娟肖杰雷其英
申请人 ：
宁德丹诺西诚科技有限公司
申请人地址 ：
福建省宁德市蕉城南路74号地产综合大楼1105室
代理机构 ：
福州市博深专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
颜丽蓉
优先权 ：
CN202020526471.7
主分类号 ：
H05K7/20
IPC分类号 ：
H05K7/20
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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