一种新型防反接控制电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型防反接控制电路，包括N沟道MOS控制回路和P沟道MOS控制回路，所述N沟道MOS控制回路由二极管D1、电阻R1、电阻R2、稳压二极管Z1、电容C1和N沟道MOS管M1组成；其中：电阻R1与二极管D1串联后，连接于N沟道MOS管M1的G极，所述电阻R2并联于稳压二极管Z1的两极，所述稳压二极管Z1连接于N沟道MOS管M1的G极、S极电路接口，所述电容C1连接于N沟道MOS管M1的D极、S极电路接口。本新型防反接控制电路，采用常规通用电子器件，使得成本低经济效益十分可观，而且电路的产业化容易实现，电路一致性很好，具有推广的意义。
基本信息
专利标题 ：
一种新型防反接控制电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020564928.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-15
授权号 ：
CN211790755U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
唐永强李艳春吴正华龚宇
申请人 ：
深圳市高科润电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区石岩街道石岩湖北大方正科技园A2栋2楼东侧，A7栋1楼7105-1室，A7栋1楼106-111室，A7栋2楼206-208室，A7栋4楼，A7栋5楼东侧505-508室
代理机构 ：
北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐家升
优先权 ：
CN202020564928.3
主分类号 ：
H02H11/00
IPC分类号 ：
H02H11/00
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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