制作纳米双疏材料的装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种制作纳米双疏材料的装置，属于纳米材料领域，包括控制器、二路混气系统、生成器、RF射频电源、真空泵和温控系统，二路混气系统、RF射频电源、真空泵和温控系统均信号连接至控制器，生成器信号连接至温控系统，且生成器均管路连接至真空泵和二路混气系统，二路混气系统上端设置生成器和RF射频电源，且生成器外围套接RF射频电源。本实用新型所述的制作纳米双疏材料的装置设置磁力旋转装置，在实验过程中通过电机带动磁力旋转装置使待试验物料在生成室内旋转，可以有效的促使物料受热、薄膜分布均匀，减少薄膜气泡，有效提高实验结果。
基本信息
专利标题 ：
制作纳米双疏材料的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020583415.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-17
授权号 ：
CN211999910U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
许建民李晓峰伊彬辛金菲
申请人 ：
天津日津科技股份有限公司
申请人地址 ：
天津市东丽区华明工业园华丰路6号滨海华明低碳产业基地F座1号楼
代理机构 ：
天津企兴智财知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘影
优先权 ：
CN202020583415.7
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/505 B82Y40/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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