一种自适应偏置阻性源退化的低噪声跨导放大器
授权
摘要
本实用新型公开了一种自适应偏置阻性源退化的低噪声跨导放大器，其特征在于，包括：主放大器电路和偏置电路；主放大器电路采用PMOS差分对管输入，共源共栅结构，阻性源退化输出；偏置电路包括：P共栅管偏置电路、N电流源偏置电路和N共栅管偏置电路；P共栅管偏置电路、N电流源偏置电路和N共栅管偏置电路分别为主放大器电路提供P共栅管偏置电压、N电流源偏置电压、N共栅管偏置电压；主放大器电路的输入和输出分支分别引出一路支流，再并联构建偏置电路。本实用新型提供了一种自适应偏置阻性源退化的低噪声跨导放大器，在工艺电压和温度波动的情况下，保证工作点稳定，同时也避免了大电阻的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种自适应偏置阻性源退化的低噪声跨导放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020606295.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-21
授权号 ：
CN211908748U
授权日 ：
2020-11-10
发明人 ：
邹亮刘玮
申请人 ：
英彼森半导体（珠海）有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市横琴新区环岛东路1889号创意谷110室-388
代理机构 ：
北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
符继超
优先权 ：
CN202020606295.8
主分类号 ：
H03F1/26
IPC分类号 ：
H03F1/26 H03F3/45
法律状态
2020-11-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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