真空载片装置及真空镀膜设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种真空载片装置及真空镀膜设备，涉及真空镀膜设备技术领域，所述真空载片装置包括：腔体、载片架和分气模组，所述载片架和所述分气模组均位于所述腔体内部，且所述载片架和所述分气模组沿第一方向依次设置；所述分气模组包括进气口和出气口，以及连通进气口和出气口的通道，所述进气口与外界气源连通，以使外界的气体能够通过所述分气模组进入到所述腔体内部，所述出气口设置在所述分气模组的侧壁上，所述出气口朝向所述载片架的周向外侧。
基本信息
专利标题 ：
真空载片装置及真空镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020622660.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-23
授权号 ：
CN212270225U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
李王俊陈晨
申请人 ：
苏州迈正科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区经济技术开发区龙桥路、芦荡路交叉口西北侧
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
孙海杰
优先权 ：
CN202020622660.4
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 C23C14/22 C23C16/458 C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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