局部放电超声传感器
授权
摘要

本实用新型公开了局部放电超声传感器,包括压电晶片体和压电晶片体外部的屏蔽外壳,所述屏蔽外壳的底部套设有固定块,所述固定块的上端面位于屏蔽外壳的外部套设有压缩气囊,所述压缩气囊的底部侧壁上连通有加压球。本实用新型中,按压加压球,在加压球的作用下外部空气通过进气管压缩气囊的内部,压缩气囊进行扩展带动密封板在屏蔽外壳的外部向上滑动,密封板的移动带动吸盘向上移动,使吸盘与材料的表面接触,密封板的移动对吸盘造成挤压力,使得吸盘内部的空气排出,空气排出后的吸盘的内部呈负压状态,使得吸盘稳固吸附在材料的表面,避免了磁吸式固定的局限性,提高了测量的工作效率。

基本信息
专利标题 :
局部放电超声传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020658051.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-26
授权号 :
CN212083592U
授权日 :
2020-12-04
发明人 :
孙翠林
申请人 :
四川华东电气集团有限公司
申请人地址 :
四川省成都市青羊区广富路168号1栋
代理机构 :
成都百川兴盛知识产权代理有限公司
代理人 :
夏晓明
优先权 :
CN202020658051.4
主分类号 :
G01R31/12
IPC分类号 :
G01R31/12  G01R1/04  G01H17/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/12
•测试介电强度或击穿电压
法律状态
2020-12-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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