基于半导体制冷芯片的温差发电装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于半导体制冷芯片的温差发电装置，其包括至少一块半导体制冷芯片、与各个半导体制冷芯片的加热端连接的加热单元和用于对半导体制冷芯片的制冷端降温的冷却单元。本实用新型的加热单元包括与各个半导体制冷芯片的加热端连接的导热板，各个半导体制冷芯片靠近导热板的一端设置。本实用新型的导热板还包括远离设置半导体制冷芯片的区域向外延伸的受热区。本实用新型的温差发电装置的冷却单元包括与半导体制冷芯片的制冷端连接的水箱，水箱内循环通入有冷却水。本实用新型的基于半导体制冷芯片的温差发电装置的热电转化效率高，结构紧凑，安装方便。
基本信息
专利标题 ：
基于半导体制冷芯片的温差发电装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020681921.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-28
授权号 ：
CN211791327U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
顾伟
申请人 ：
苏州昱竣新材料有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江经济技术开发区三兴路758号(运东商业广场A-01号店铺)
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王春丽
优先权 ：
CN202020681921.X
主分类号 ：
H02N11/00
IPC分类号 ：
H02N11/00
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
