一种通孔型扬声器华司
授权
摘要
本实用新型涉及扬声器技术领域，尤其是一种通孔型扬声器华司，包括SPCC原材制成的主体，所述的主体的边缘呈环形台阶设置，主体的中心部分呈凹槽设置，主体的中心处位于凹槽内设置通孔，主体的表面覆盖有镀层，镀层的厚度为5‑12μm，本实用新型能够在最大化保留原先磁路系统性能的前提下，允许振膜球顶增加内凹结构设计来提升球顶刚度以及提升该扬声器单体在高频状态下的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种通孔型扬声器华司
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020720306.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-06
授权号 ：
CN211792030U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
沈安国
申请人 ：
浙江豪声电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道惠民大道328号
代理机构 ：
杭州赛科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭薇
优先权 ：
CN202020720306.5
主分类号 ：
H04R9/06
IPC分类号 ：
H04R9/06 H04R9/02
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法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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