一种预埋式电容耦合传感器
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摘要
本实用新型涉及一种预埋式电容耦合传感器，包括预埋在电缆靠近接头(7)位置处的金属屏蔽层(1)、电容耦合器(2)、外半导电层(3)、绝缘层(4)、金属箔片贴和信号输出导线(6)，绝缘层(4)包围在电缆的导线芯(5)外部，外半导电层(3)包围在绝缘层(4)外部，金属箔片设于外半导电层(3)上，电容耦合器(2)连接外半导电层(3)，金属屏蔽层(1)连接外半导电层(3)，并设于电容耦合器(2)两侧，金属屏蔽层(1)接地，电容耦合器(2)的BNC头连接信号输出导线(6)，电容耦合器(2)通过信号输出导线(6)连接同轴电缆(10)。与现有技术相比，本实用新型具有减少外部环境影响，适用范围广等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种预埋式电容耦合传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020722170.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-06
授权号 ：
CN212514856U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
李红雷贺林胡正勇
申请人 ：
国网上海市电力公司;华东电力试验研究院有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区源深路1122号
代理机构 ：
上海科盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
叶敏华
优先权 ：
CN202020722170.1
主分类号 ：
G01R31/12
IPC分类号 ：
G01R31/12 G01R1/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/12
•测试介电强度或击穿电压
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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