一种排废系统
授权
摘要
本实用新型公开一种排废系统，该排废系统至少包括第一排废管道、第二排废管道及主排废管道，第一排废管道与第二排废管道并联设置；第一排废管道包括第一进水口及第一出水口，第一进水口与酸槽连通，第一出水口与主排废管道连通，第一排废管道包括一水封管；第二排废管道包括第二进水口及第二出水口，第二进水口与刻蚀槽连通，第二出水口与主排废管道连通；该排废系统将刻蚀槽和酸槽的排废管道进行合并流入同一个主排废管道，从而减少管道结构，节约安装空间；通过在与酸槽连接的第一排废管道中设置水封管形成水封，有效避免刻蚀槽中溢出的具有强氧化性的酸雾进入酸槽之后氧化酸洗后的硅片表面，造成色差硅片的情况，保证电池片质量。
基本信息
专利标题 ：
一种排废系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020734247.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-07
授权号 ：
CN212161762U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
王贵梅王盼朱少杰
申请人 ：
晶澳太阳能有限公司
申请人地址 ：
河北省邢台市宁晋县晶龙大街
代理机构 ：
北京市万慧达律师事务所
代理人 ：
顾友
优先权 ：
CN202020734247.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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