一种输入欠压与过压保护电路
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摘要

本实用新型公开了一种输入欠压与过压保护电路,包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7,电容C1、C2、C3,MOSFET Q1、Q2、Q3,稳压二极管ZD1、ZD2、ZD3;所述MOSFET Q1分别连接电阻R1、R2、R4、R7,电容C1,MOSFET Q2,稳压二极管ZD1;所述MOSFET Q2分别连接电阻R3、R4,电容C2,MOSFET Q1,MOSFET Q3,稳压二极管ZD2;所述MOSFET Q3分别连接电阻R3、R4、R5、R6,电容C2、C3,MOSFET Q2,稳压二极管ZD2、ZD3。本实用新型的电路可以做到在输入电压超出电源的输入电压适用范围之内时启动工作,让电源处于待机状态或低功率工作的状态。

基本信息
专利标题 :
一种输入欠压与过压保护电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020762354.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-11
授权号 :
CN212366814U
授权日 :
2021-01-15
发明人 :
赵志华施培源
申请人 :
深圳市中孚光电科技有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市龙华新区大浪街道浪口社区浪口工业园57号A栋2楼
代理机构 :
深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
钟斌
优先权 :
CN202020762354.0
主分类号 :
H02H3/20
IPC分类号 :
H02H3/20  H02H3/24  H02H11/00  
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法律状态
2021-01-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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