一种边缘密封导电基体与电致变色器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种边缘密封导电基体与电致变色器件，所述边缘密封导电基体包括基底层、透明导电层、至少一个导电部、至少一个密封部以及与导电部连接的至少一个侧引出电极；所述透明导电层层叠设置于基底层的顶面；所述导电部与透明导电层连接；所述密封部与透明导电层的顶面连接。所述电致变色器件包括依次层叠设置的第一导电层、变色材料层与第二导电层；变色材料层分别与第一导电层以及第二导电层的透明导电层连接，导电层的密封部用于对变色材料层封边。应用本实用新型提供的边缘密封导电基体设置电致变色器件时无需额外的布电极操作，避免了空气中水氧的影响，且所得电致变色器件具有较高的结构强度。
基本信息
专利标题 ：
一种边缘密封导电基体与电致变色器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020779025.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-12
授权号 ：
CN212009235U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
熊沉璧钟卓洪
申请人 ：
深圳市光羿科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区新安街道上合社区33区大宝路83号美生慧谷科技园3.5.6栋美谷5栋一楼
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
潘登
优先权 ：
CN202020779025.7
主分类号 ：
G02F1/155
IPC分类号 ：
G02F1/155 G02F1/161 G02F1/153
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/155
••••电极
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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