均匀进气氧化气体匀化罩
授权
摘要
本实用新型公开了一种均匀进气氧化气体匀化罩，其特征在于：所述匀化罩为四个侧面和一个顶面拼成或一体成型的正方体或无底面的半球形、弧形，所述匀化罩均匀分布有等径的通气孔。此装置能将被N2(载气)带入的水气平缓、稳定均匀的接触晶圆表面，避免进气口或者出气口水气乱流或者高温造成的氧化腔体内气流不稳而造成的湿法氧化不均匀、不稳定。本实用新型提供的使进气平缓、稳定、均匀的进气匀化罩，氧化时将样品放置于匀化罩内，气体不再是从单一方向流过样品，而是从外罩的开孔进入，保证流过样品的气体来自各个不同方向孔径，且能使水汽平缓降落在晶圆表面，从而达到样品匀速稳定氧化的目的。
基本信息
专利标题 ：
均匀进气氧化气体匀化罩
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020797067.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-14
授权号 ：
CN211907391U
授权日 ：
2020-11-10
发明人 ：
王勇谢自力黄愉潘巍巍彭伟
申请人 ：
南京集芯光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市经济技术开发区恒园路龙港科技园B2栋1101室
代理机构 ：
江苏斐多律师事务所
代理人 ：
张佳妮
优先权 ：
CN202020797067.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01S5/183
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-11-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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