双层台阶状金属装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种双层台阶状金属装置，包括基板和上盖，基板上设置有芯片安装区域，上盖焊接在基板上并盖住芯片安装区域，上盖和基板之间形成有空腔；上盖为双台阶上盖。本实用新型采用双层台阶状金属壳为上盖以及方形基板作为底板的方式，将所有芯片包裹在腔体内，满足终端用户对产品加工的精度要求，金属壳的实心凸起部分可以通过加工做成各种高度，各种直径，在保证生产可操作性的基础上满足用户所要求的接触点的极小尺寸需求；且能够避免普通MCLGA封装的金属壳结构在灌胶过程中所产生的的气泡现象，以及毛细孔效应，极大提高产品的质量和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
双层台阶状金属装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020807436.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-14
授权号 ：
CN212161789U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
许黎明
申请人 ：
上海申矽凌微电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区虹梅南路2588号1幢A320室
代理机构 ：
上海段和段律师事务所
代理人 ：
祁春倪
优先权 ：
CN202020807436.2
主分类号 ：
H01L23/04
IPC分类号 ：
H01L23/04 H01L23/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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