微型桥堆半导体器件

授权

摘要

本实用新型公开一种微型桥堆半导体器件，包括位于环氧封装体内的四个二极管芯片、2个第一引线条和2个第二引线条，一环氧封装体包覆于四个二极管芯片、第一引线条的支撑部和第二引线条的焊接部上，所述四个二极管芯片分别位于2个第一引线条的4个支撑部与2个第二引线条的4个焊接部之间；所述第一引线条的每个支撑部的边缘开有至少2个第一通孔，此第一通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第一翻边部；所述第一引线条的第一引脚部和第二引线条的第二引脚部平直地水平相背设置，且与环氧封装体的底部在垂直方向留有间隙。本实用新型微型桥堆半导体器件既进一步减少器件占用PCB电路板的整体体积，也有利于进一步降低接触电阻，从而进一步提高了器件的稳定性。

基本信息

专利标题：

微型桥堆半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020810480.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-15

授权号：

CN211957629U

授权日：

2020-11-17

发明人：

唐兴军王亚

申请人：

苏州兴锝电子有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼8楼812-3室

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人：

王健

优先权：

CN202020810480.9

主分类号：

H01L23/49

IPC分类号：

H01L23/49 H01L23/24 H01L25/07