真空断路器框架
授权
摘要
一种真空断路器框架，所述真空断路器框架安装在真空断路器气箱中，其特征在于，所述真空断路器框架包括第一支撑板、第二支撑板和通过紧固装置连接在所述第一支撑板和所述第二支撑板之间的断路器框架板；所述第一支撑板和所述第二支撑板设置成将所述紧固装置与真空断路器气箱中的高压电极屏蔽开，从而避免所述紧固装置因高压电极产生表面电场。
基本信息
专利标题 ：
真空断路器框架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020818457.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-15
授权号 ：
CN211858502U
授权日 ：
2020-11-03
发明人 ：
陈桂高王刚
申请人 ：
施耐德电器工业公司
申请人地址 ：
法国吕埃-马迈松
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
葛飞
优先权 ：
CN202020818457.4
主分类号 ：
H01H33/66
IPC分类号 ：
H01H33/66 H01H33/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01H
电开关；继电器；选择器；紧急保护装置
H01H33/00
带有灭弧或防弧装置的高压或大电流开关
H01H33/60
不包括单独为产生或增强灭弧流体流动装置的开关灭弧或防弧装置的开关
H01H33/66
真空开关
法律状态
2020-11-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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