一种DCT超导磁体结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种DCT超导磁体结构，其特征在于，包括由若干单极线圈围设成的筒式电磁线，所述筒式电磁线固化在骨架上形成磁体结构，所述单极线圈之间串联连接；其中，每一所述单极线圈包括间隔环绕设置的N匝电磁线圈，其中，N为整数，是设定的单极线圈的总电磁线匝数。本实用新型提出的DCT超导磁体结构无需铁芯即可得到较高质量的多极磁场，筒式结构可实现多层嵌套结构，可适用于不同孔径不同磁场要求的领域，具有很宽广的应用空间。
基本信息
专利标题 ：
一种DCT超导磁体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020826004.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-18
授权号 ：
CN212365636U
授权日 ：
2021-01-15
发明人 ：
吴巍梅恩铭梁羽陈玉泉尤玮
申请人 ：
中国科学院近代物理研究所
申请人地址 ：
甘肃省兰州市城关区南昌路509号
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘美丽
优先权 ：
CN202020826004.6
主分类号 ：
H01F6/06
IPC分类号 ：
H01F6/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F6/00
超导磁体；超导线圈
H01F6/06
线圈，如绕组、绝缘、接线柱或外壳
法律状态
2021-01-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
