一种忆阻器仿真模型
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摘要
本实用新型公开了一种忆阻器仿真模型，包括忆阻器等效电阻R1、受控电压源V1至V3、电阻R2至R6、电容C、第一运放和第二运放。忆阻器等效电阻R1的一端与受控电压源V1的正极相连；受控电压源V2的负极接地，受控电压源V2的正极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端分别于第一运放的反相输入端、电容C的一端相连，电容C的另一端与第一运放的输出端相连，第一运放的正相输入端接地；受控电压源V3的负极接地，受控电压源V3的正极与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端分别于第二运放的反相输入端、电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端与第二运放的输出端相连，第二运放的正相输入端分别于电阻R5、电阻R6的一端相连，电阻R6的另一端接地。
基本信息
专利标题 ：
一种忆阻器仿真模型
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020859722.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-21
授权号 ：
CN212208300U
授权日 ：
2020-12-22
发明人 ：
周磊王春娥白雪飞
申请人 ：
盐城工学院
申请人地址 ：
江苏省盐城市希望大道中路1号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
刘莎
优先权 ：
CN202020859722.3
主分类号 ：
G06F30/39
IPC分类号 ：
G06F30/39
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/39
物理层电路设计
法律状态
2020-12-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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