交流接触器高介电磁系统

授权

摘要

本实用新型公开了一种交流接触器高介电磁系统，它包括线圈骨架和磁轭，磁轭的底部安装有中空的船型缓冲底座，缓冲底座的上表面尺寸与磁轭的底部尺寸相适配；本实用新型中绕制线圈的漆包线的出线端位于线圈出线槽内远离磁轭硅钢片两端的中间位置；本实用新型中在磁轭的底部安装了中空的船型缓冲底座，组装好的磁系统不再与交流接触器的金属底板直接接触，加强了金属底板与磁轭的绝缘，极大地提高了交流接触器磁系统的介电等级；通过将线圈的出线端移动至线圈骨架中部远离磁轭硅钢片两端的位置，增大了磁轭与线圈出线端之间的电气间隙，从而增强了交流接触器的可靠性和安全性，本实用新型的介电等级可提升至工频4000V。

基本信息

专利标题：

交流接触器高介电磁系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020875006.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-22

授权号：

CN212411951U

授权日：

2021-01-26

发明人：

万永刚王庆蕾梁亚鹏冯玥娟

申请人：

天水二一三电器集团有限公司

申请人地址：

甘肃省天水市秦州区赤峪路35号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202020875006.4

主分类号：

H01H50/16

IPC分类号：

H01H50/16 H01H50/36 H01H50/44