一种高可靠性LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种高可靠性LED芯片，包括发光结构和保护层，所述保护层覆盖在发光结构的外延层和透明导电层上；所述保护层包括依次设置的Al2O3层、致密SiO2层和SiNx层，所述致密SiO2层包括若干周期高致密性SiO2层和低致密性SiO2层，高致密性SiO2层的薄膜致密性大于低致密性SiO2层的薄膜致密性。本实用新型的保护层通过Al2O3层、致密SiO2层和SiNx层的相互配合，不仅防止透明导电层反射翘曲，还有效保护发光结构，提高芯片的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种高可靠性LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020884277.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-22
授权号 ：
CN212161847U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
陆绍坚潘绮琳
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN202020884277.6
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/00
法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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