一种腔体结构高抑制的带阻滤波器
授权
摘要
本实用新型涉及滤波器技术领域，具体是一种腔体结构高抑制的带阻滤波器，用于解决现有技术中谐振柱高度比较高，从而增加了滤波器的高度和成本的问题。本实用新型包括外壳，所述外壳的上部沿其长度方向开有阻线腔，下部开有多个耦合腔，所述阻线腔内设有高阻线，所述耦合腔内设有耦合组件，所述耦合组件包括相互成型为一体的耦合杆和圆盘。本实用新型的耦合组件包括相互成型为一体的耦合杆和圆盘，由于圆盘的设置，可以极大的增加耦合组件的电容，从而可以减少耦合杆的高度，进而可以减少该滤波器的高度和成本。
基本信息
专利标题 ：
一种腔体结构高抑制的带阻滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020910696.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-26
授权号 ：
CN212062641U
授权日 ：
2020-12-01
发明人 ：
成颖彭皞肖亚君
申请人 ：
成都创吉科技有限责任公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区创业路16号火炬大厦806室
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈仕超
优先权 ：
CN202020910696.2
主分类号 ：
H01P1/20
IPC分类号 ：
H01P1/20 H01P1/208
法律状态
2020-12-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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