一种改善多颗粒DDR系统信号质量的PCB走线结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型公开了一种改善多颗粒DDR系统信号质量的PCB走线结构,包括PCB板,PCB板上设置有主芯片和多数个DDR颗粒,多数个DDR颗粒通过信号走线串联在主芯片上,主芯片与第一颗连接的DDR颗粒之间设置有相连的第一走线和第二走线,第一走线的另一端与主芯片连接,第二走线的另一端与第一颗DDR颗粒连接,第一走线的阻抗大于信号走线的阻抗,第二走线的阻抗小于信号走线的阻抗。本实用新型通过对主芯片与第一颗连接的DDR颗粒之间的信号走线进行特定长度的走线阻抗变化的组合后,减缓了主芯片强驱动上升沿,从而达到优化DDR系统信号质量的目的。

基本信息
专利标题 :
一种改善多颗粒DDR系统信号质量的PCB走线结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020929857.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-28
授权号 :
CN212163819U
授权日 :
2020-12-15
发明人 :
黄刚吴均
申请人 :
深圳市一博科技股份有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市南山区科技南十二路28号康佳研发大厦12层12H-12I
代理机构 :
深圳市远航专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
田志远
优先权 :
CN202020929857.2
主分类号 :
H05K1/02
IPC分类号 :
H05K1/02  H05K1/18  
法律状态
2021-01-15 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H05K 1/02
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳市一博科技股份有限公司
变更后 : 深圳市一博科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518000 广东省深圳市南山区科技南十二路28号康佳研发大厦12层12H-12I
变更后 : 518000 广东省深圳市南山区粤海街道深大社区深南大道9819号地铁金融科技大厦11F
2020-12-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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