压接型IGBT局部放电模拟装置
授权
摘要
本申请涉及一种压接型IGBT局部放电模拟装置。所述压接型IGBT局部放电模拟装置包括：箱体，具有一容纳腔；模拟样件，设置于所述容纳腔，所述模拟样件的材料与待模拟IGBT的绝缘层的材料相同；高压电极，设置于所述容纳腔；接地电极，设置于所述容纳腔，与所述高压电极间隔设置，高压电极和接地电极中的至少一个与所述模拟样件接触；高压电源，与所述高压电极电连接，用于向所述高压电极提供高压电。本申请提供的压接型IGBT局部放电模拟装置能够实现压接型IGBT局部放电的模拟。
基本信息
专利标题 ：
压接型IGBT局部放电模拟装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020931837.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-28
授权号 ：
CN212723183U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
祝令瑜刘琛硕汲胜昌占草刘占磊侯婷
申请人 ：
西安交通大学;南方电网科学研究院有限责任公司
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
代理机构 ：
北京华进京联知识产权代理有限公司
代理人 ：
任少瑞
优先权 ：
CN202020931837.9
主分类号 ：
G01R31/12
IPC分类号 ：
G01R31/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/12
•测试介电强度或击穿电压
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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