一种提升容值的补偿电容结构
授权
摘要
本实用新型提供一种提升容值的补偿电容结构，包括：在基板上设置有第一极板金属和第一栅极金属；在第一极板金属和第一栅极金属上设置有第一绝缘层；在第一栅极金属区域的第一绝缘层上设置有第二半导体层；在第二半导体层和第一绝缘层上设置有第二绝缘层；在第二绝缘层上设置有第二极板金属和第二极板金属；在第二绝缘层、第二极板金属和第二极板金属上设置有第三绝缘层；在第三绝缘层上设置有第二过孔和第三过孔；在第三绝缘层上设置有第三极板金属和源漏极金属。上述技术方案制作第三极板金属、第二极板金属和第一极板金属形成两个电容。两个电容可以为器件带来更大的电容值，在电容值增大后，可以有效改善画面均一性，提升显示质量。
基本信息
专利标题 ：
一种提升容值的补偿电容结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020948485.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN212084973U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
宋爽
申请人 ：
福建华佳彩有限公司
申请人地址 ：
福建省莆田市涵江区涵中西路1号
代理机构 ：
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐剑兵
优先权 ：
CN202020948485.8
主分类号 ：
H01L21/77
IPC分类号 ：
H01L21/77 H01L27/12 H01L27/32 H01L49/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
法律状态
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212084973U.PDF
PDF下载
