SiC MOSFET监测电路
授权
摘要
本实用新型涉及状态监测技术领域，公开了一种SiC MOSFET监测电路，包括采样模块，用于采集所述SiC MOSFET栅极的电信号；分析模块，与所述采样模块连接，用于将所述电信号与预设阈值进行比较，并根据比较结果判断所述SiC MOSFET是否老化失效。所述SiC MOSFET监测电路通过采样电路对所述SiC MOSFET的栅极电信号进行检测采集处理，并将采集到的电信号与预设阈值进行比较，根据比较结果判断所述SiC MOSFET是否老化失效。将本实用新型提供的所述SiC MOSFET监测电路应用在包含有SiC MOSFET器件的电路或系统中时，可以在不中断系统工作状态的情况下实现对所述SiC MOSFET器件状态的监测和老化失效预警，监测过程对系统正常工作的干扰小，且预测精度高。
基本信息
专利标题 ：
SiC MOSFET监测电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020967907.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-01
授权号 ：
CN212586494U
授权日 ：
2021-02-23
发明人 ：
陈媛贺致远陈义强侯波刘昌
申请人 ：
中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请人地址 ：
广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
缪成珠
优先权 ：
CN202020967907.6
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-02-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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