一种具有石墨烯导电膜的VCSEL
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摘要
本实用新型提供了一种具有石墨烯导电膜的VCSEL，通过在所述外延叠层的裸露面覆盖与所述第一电极形成连接的石墨烯导电膜，且所述石墨烯导电膜包括依次层叠的第一绝缘层、石墨烯薄膜层、第二绝缘层，所述第一绝缘层或第二绝缘层直接层叠于所述外延叠层的裸露面；使载流子均匀扩散并集中在VCSEL芯片的有效发光面积内，从而增加载流子复合，抑制边缘增益，降低高阶模产生的几率。同时，由于载流子分布均匀，在一定程度上降低了焦耳热，从而达到降低阈值、提高增益的效果。其次，其外延叠层通过设置AlxGa(1‑x)As层及GaAs层，使所述第一电极和部分所述石墨烯导电膜层叠于所述GaAs层，以增加横向导电率，并减少第一电极和石墨烯导电膜对光的吸收。
基本信息
专利标题 ：
一种具有石墨烯导电膜的VCSEL
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020968389.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-01
授权号 ：
CN212435033U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
田宇李峰柱韩效亚杜石磊
申请人 ：
厦门乾照半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020968389.X
主分类号 ：
H01S5/042
IPC分类号 ：
H01S5/042 H01S5/183 H01S5/187 H01S5/34
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法律状态
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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