可控硅H桥驱动及保护电路

授权

摘要

本实用新型涉及一种可控硅H桥驱动及保护电路，包括可控硅H桥电路及与驱动电路及保护电路，驱动电路包括双刀双掷继电器、整流桥及滤波电容，双刀双掷继电器用于向整流桥输入交/直流电源，整流桥整流出直流电源，滤波电容对直流电源进行滤波处理；保护电路包括采样电阻、运算放大器、稳压源、分压电阻、光耦、PNP型三极管，采样电阻用于采集可控硅H桥中电机电流值，稳压源用于提供基准电压，运算放大器用于对电流值放大处理，输出高电平信号，控制光耦导通，继而使PNP型三极管截止，从而使双刀双掷继电器失电。本实用新型以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍，反应极快，无触点运行，无火花、无噪音，效率高，成本低。

基本信息

专利标题：

可控硅H桥驱动及保护电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020984976.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-02

授权号：

CN212063871U

授权日：

2020-12-01

发明人：

王建博严可逸

申请人：

常州电子研究所有限公司

申请人地址：

江苏省常州市新北区华山中路25号

代理机构：

常州品益专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

张岳

优先权：

CN202020984976.8

主分类号：

H02P7/03

IPC分类号：

H02P7/03 H02H7/085