可控硅H桥驱动及保护电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种可控硅H桥驱动及保护电路,包括可控硅H桥电路及与驱动电路及保护电路,驱动电路包括双刀双掷继电器、整流桥及滤波电容,双刀双掷继电器用于向整流桥输入交/直流电源,整流桥整流出直流电源,滤波电容对直流电源进行滤波处理;保护电路包括采样电阻、运算放大器、稳压源、分压电阻、光耦、PNP型三极管,采样电阻用于采集可控硅H桥中电机电流值,稳压源用于提供基准电压,运算放大器用于对电流值放大处理,输出高电平信号,控制光耦导通,继而使PNP型三极管截止,从而使双刀双掷继电器失电。本实用新型以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍,反应极快,无触点运行,无火花、无噪音,效率高,成本低。
基本信息
专利标题 :
可控硅H桥驱动及保护电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020984976.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-02
授权号 :
CN212063871U
授权日 :
2020-12-01
发明人 :
王建博严可逸
申请人 :
常州电子研究所有限公司
申请人地址 :
江苏省常州市新北区华山中路25号
代理机构 :
常州品益专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张岳
优先权 :
CN202020984976.8
主分类号 :
H02P7/03
IPC分类号 :
H02P7/03 H02H7/085
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法律状态
2020-12-01 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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