一种太赫兹行波管用磁场发生装置
授权
摘要
本发明公开了一种太赫兹行波管用磁场发生装置，属于永磁装置领域，由磁轭、永磁体和保护套组成，其中，所述磁轭为薄壁圆环结构，分为对称的左磁轭（2）和右磁轭（6）两部分；所述永磁体为异形磁环结构，所述异形磁环分为左异形磁环（1）和右异形磁环（5），所述保护套分为左保护套和右保护套；所述左保护套分为左外保护套（3）和左内保护套（4）；所述右保护套分为右外保护套（7）和右内保护套（8）；本发明提供了一种太赫兹行波管用磁场发生装置，在其中心轴线产生具有高磁感应强度、长均匀区长度、较短抬升区、高均匀性的磁场分布，同时其结构紧凑轻便，利于真空电子器件的小型化发展。
基本信息
专利标题 ：
一种太赫兹行波管用磁场发生装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020989556.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-03
授权号 ：
CN212062052U
授权日 ：
2020-12-01
发明人 ：
王少杰王林梅程玲莉王喜鑫王敬东叶建袁涛王磊
申请人 ：
中国电子科技集团公司第九研究所
申请人地址 ：
四川省绵阳市滨河北路西段268号
代理机构 ：
绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黎仲
优先权 ：
CN202020989556.9
主分类号 ：
H01F7/02
IPC分类号 ：
H01F7/02 H01J23/087
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F7/00
磁体
H01F7/02
永久磁体
法律状态
2020-12-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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