InSb敏感元、无引线InSb光电红外传感器及探测器
授权
摘要
本实用新型提供一种InSb敏感元、无引线InSb光电红外传感器及探测器，所述InSb敏感元包括底托和至少一个InSb单晶片；所述底托的下沉槽底部开设导引孔，所述导引孔中填充导电材料；所述底托的下沉槽底部设置有所述InSb单晶片，所述InSb单晶片与所述导电材料连接。该无引线InSb光电红外传感器中，底托的设置便于InSb单晶片的安装，防止InSb单晶片破碎，提高InSb敏感元的成品合格率；该无引线InSb光电红外传感器中的InSb敏感元与基座之间通过导电浆连接，无需引线连接，大大提高了无引线InSb光电红外传感器的抗震性。
基本信息
专利标题 ：
InSb敏感元、无引线InSb光电红外传感器及探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021004428.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-04
授权号 ：
CN212434634U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
古瑞琴郭海周杨志博高胜国田勇钟克创张小水
申请人 ：
郑州炜盛电子科技有限公司
申请人地址 ：
河南省郑州市高新技术开发区金梭路299号
代理机构 ：
郑州德勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
武亚楠
优先权 ：
CN202021004428.0
主分类号 ：
H01L31/02
IPC分类号 ：
H01L31/02 H01L31/0203 H01L31/0304 H01L31/09
法律状态
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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