片上微型热电子源
授权
摘要

本实用新型涉及电子源技术领域,具体涉及一种片上微型热电子源,包括:衬底,至少一个电子发射体单元,设置在所述衬底表面的控制电极;所述电子发射体单元包括铱本体和设置在所述铱本体上的氧化钇薄膜;所述电子发射体单元的两端分别连接一所述控制电极;所述衬底与所述电子发射单元相对的区域设置有沟槽,所述沟槽设于所述控制电极之间。本实用新型的片上微型热电子源中,铱本体和氧化钇组成的电子发射单元具有电流大、发射性能稳定、寿命长、抗中毒性强等优点。设置多个电子发射体单元及对应的控制电极,可以稳定发射性能、减小电子源的体积和功耗,具有较高的阵列集成度。

基本信息
专利标题 :
片上微型热电子源
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021025066.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-05
授权号 :
CN212570915U
授权日 :
2021-02-19
发明人 :
赵振征刘文超
申请人 :
天津迈刻微科电子科技有限公司
申请人地址 :
天津市滨海新区自贸试验区(中心商务区)新华路3699号双创大厦28层2806室
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
何家鹏
优先权 :
CN202021025066.3
主分类号 :
H01J1/142
IPC分类号 :
H01J1/142  H01J1/146  H01J1/16  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J1/00
电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔,通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件
H01J1/02
主电极
H01J1/13
固体热阴极
H01J1/14
按材料特性区分的
H01J1/142
有碱土金属氧化物或者与还原反应物一起使用的氧化物,作为发射材料的
法律状态
2021-02-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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