一种功率器件驱动电路和逆变电路
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种功率器件的驱动电路和逆变电路。本实用新型具有以小的恢复电流并联SiC二极管，能够在不增加MHz频带噪声的情况下显著降低导通损耗和恢复损耗，有助于降低逆变器的损耗和噪声。本实用新型提供了一种功率半导体器件的开关电路和逆变电路，该功率半导体器件包括硅IGBT及其IGBT与SiC二极管组合的模块，其中，栅极上的电阻设置为小于栅极下的电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种功率器件驱动电路和逆变电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021066177.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-11
授权号 ：
CN211930496U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
杨永江
申请人 ：
华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街10号院2号楼11层1101
代理机构 ：
北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宇锋
优先权 ：
CN202021066177.9
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08 H02M7/48
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法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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