一种改进的memory测试负载卡
授权
摘要
本实用新型提供了一种改进的memory测试负载卡，本实用新型通过将插座朝向改为朝上，避免占用侧面空间，从而灵活选择散热风扇摆放位置，不再受供电插头位置的影响，提升散热效果，将原插接头改为螺丝压接件，保证负载线压接牢固，避免出现因连接松动导致不能拉载到预先设定的负载值的情况，延长高频使用的插针，增加插针辨识度，减少选错量测位置情况的发生，从而解决量测插针辨认比较费力，探头易接错测量位置的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种改进的memory测试负载卡
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021090797.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-13
授权号 ：
CN212135409U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
石德礼
申请人 ：
苏州浪潮智能科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴中区吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢
代理机构 ：
济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人 ：
李修杰
优先权 ：
CN202021090797.6
主分类号 ：
G06F11/22
IPC分类号 ：
G06F11/22 H05K7/20 H01R4/30 H01R4/38 H01R13/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F11/00
错误检测；错误校正；监控
G06F11/22
在准备运算或者在空闲时间期间内，通过测试作故障硬件的检测或定位
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
