一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件
授权
摘要
本实用新型公开了一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件，包括原件主体、连接块和支脚，所述连接块与支脚之间设置有调节结构，所述调节结构包括放置槽、连接杆、移动杆、移动块、弹簧、第一滑槽、转动杆和第二滑槽，所述连接块内部开设有支脚配合的放置槽。该超高温防辐射SIC材料MOSFET原件即可通过连接杆使得支脚可以在连接块上转动，从而使得支脚的角度可以调节安装时再将连接块与支脚焊接即可，解决了现有的MOSFET原件安装时支脚的角度无法调节的问题，避免因多次拨动导致支脚折断，提高了MOSFET原件的实用性，解决了现有的MOSFET原件在安装时焊接处容易相连的问题，提高了MOSFET原件安装时的便捷性，降低了操作人员的工作难度。
基本信息
专利标题 ：
一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021102973.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-15
授权号 ：
CN211907427U
授权日 ：
2020-11-10
发明人 ：
高嘉鹏
申请人 ：
固安京仪椿树整流器有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市固安县东位村固涿路北侧
代理机构 ：
北京专赢专利代理有限公司
代理人 ：
于刚
优先权 ：
CN202021102973.3
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2020-11-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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