一种经时击穿测试结构
授权
摘要
本实用新型提供一种经时击穿测试结构，用于测试不同温度下金属间介质层的经时击穿参数，包括：测试模块和加热模块，测试模块位于加热模块上，测试模块用于测试金属间介质层的经时击穿参数，加热模块用于对测试模块加热，测试模块的第一端连接第一电压，测试模块的第二端连接第二电压，第一电压大于第二电压。这样，在经时击穿测试结构内部设置加热模块，加热模块直接对测试模块进行加热，减小热量散失，同时通过调节加热模块的温度调节测试模块的温度，能够更为精确的控制测试模块的温度，进行不同温度下金属间介质层的经时击穿测试，提高金属间介质层的经时击穿测试精度。
基本信息
专利标题 ：
一种经时击穿测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021108276.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-15
授权号 ：
CN212570930U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
王志强
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
柳虹
优先权 ：
CN202021108276.9
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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