一种双频段磁性材料吸波结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型涉及一种双频段磁性材料吸波结构,它包括金属平板和电阻膜图案,还包括第一磁性吸波材料层和第二磁性吸波材料层;电阻膜图案镀设在第一磁性吸波材料层的上表面和第二磁性吸波材料层的下表面上;第一磁性吸波材料层的下表面以覆盖的形式设置于金属平板上。本实用新型相比吸波泡沫结构厚度要薄,且在磁性材料中间层引入边长电阻膜即欧姆损耗,能在L(1‑2GHz)波段和X(8‑12GHz)波段产生特殊要求的窄带吸收效果,可以通过改变磁性材料层的厚度改变吸收峰的位置。其结构简单,制备工艺简单,可操作性强,成本较低;整个结构主要由磁性吸波胶板构成;具有窄频带吸波的特点;通过合理调整结构的参数,可以调节吸收峰到特定频带位置以及吸收峰幅值的大小。

基本信息
专利标题 :
一种双频段磁性材料吸波结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021135550.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-18
授权号 :
CN212257701U
授权日 :
2020-12-29
发明人 :
李维佳刘倩谢海岩
申请人 :
成都佳驰电子科技有限公司
申请人地址 :
四川省成都市郫都区成都现代工业港南片区新经济产业园文明街西段288号
代理机构 :
成都巾帼知识产权代理有限公司
代理人 :
邢伟
优先权 :
CN202021135550.1
主分类号 :
H01Q17/00
IPC分类号 :
H01Q17/00  H01F1/42  
法律状态
2021-09-21 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01Q 17/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 成都佳驰电子科技有限公司
变更后 : 成都佳驰电子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 610000 四川省成都市郫都区成都现代工业港南片区新经济产业园文明街西段288号
变更后 : 610000 四川省成都市郫都区成都现代工业港南片区新经济产业园文明街西段288号
2020-12-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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