去除晶圆表面汞残留处理装置

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型公开了一种去除晶圆表面汞残留处理装置，其包括加热腔体、进气通道、排气通道、汞蒸气反应过滤系统、抽气泵和加热装置；通过加热装置对加热腔体进行加热，位于加热腔体内的晶圆受热使其表面的汞液滴蒸发成为汞蒸气，通过进气通道的吹气加快汞与半导体晶圆的分离，汞蒸气经排气通道进入汞蒸气反应过滤系统进行吸附处理，能简单高效地清除晶圆表面的残留汞，获得洁净的晶圆表面，同时不产生汞废液，经反应过滤后的废气可以直接排出室外而不造成空气污染，对环境友好，另外汞蒸气反应过滤系统可多次循环利用，大大缩减工业级量产外延片测试过程中的成本，利于广泛推广应用。

基本信息

专利标题：

去除晶圆表面汞残留处理装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021152546.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-19

授权号：

CN212342579U

授权日：

2021-01-12

发明人：

黄敏陈蛟杨军伟宋华平简基康王文军陈小龙

申请人：

松山湖材料实验室

申请人地址：

广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋

代理机构：

深圳市千纳专利代理有限公司

代理人：

刘晓敏

优先权：

CN202021152546.6

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67 B01D53/64 B01D53/82 B01D46/30