本实用新型公开了一种半导体元器件用真空烧结装置，涉及烧结装置的技术领域。其技术要点是：包括烧结室，所述烧结室的上侧设有出烟口，所述烧结室的下端设有入料口，所述入料口的下侧设有料台，所述料台的下侧设有支撑座，所述支撑座的上端开设有滑槽，所述料台通过支撑腿滑动连接于所述滑槽内，所述支撑腿插接于所述料台的下表面，所述料台一侧的侧壁通过第一连接组件连接有第一气缸，所述料台的下表面设有第二气缸，所述第二气缸通过第二连接组件连接于所述料台。设置的料台，通过设置的第一连接组件能够将料台从一侧推到另一侧，再通过第二连接组件对料台进行升降，具有便于对料台进行移动运输的特点。