一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置，包括自上而下设置的石英材质空腔和石英台，且石英材质空腔和石英台之间夹持有热电偶；其中，石英材质空腔上设置有石英空腔冷却气入口和石英空腔冷却气出口，石英台开设有冷却水腔体，该冷却水腔体设置有石英台冷却水入水口和石英台冷却水出水口，石英材质空腔的上表面以及石英台的下表面上均设置有若干石英灯加热器主体。本实用新型利用基于水冷的石英灯辐射加热，对位于加热区内的试样快速升温进行加热与精确控温，并对达到目标温度的试样进行快速气冷冷却，同时还具有精确控温、可大面积加热、工作寿命长等优点，可面向半导体晶圆材料开展快速热处理，提高半导体晶圆材料的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种用于半导体晶圆快速退火处理的加热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021169436.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-22
授权号 ：
CN212725241U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
王铁军江鹏
申请人 ：
西安交通大学
申请人地址 ：
陕西省西安市咸宁西路28号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
闵岳峰
优先权 ：
CN202021169436.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
