超低压触发器件
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摘要
超低压触发器件，包括从下到上依次为背面金属电极、P+衬底层、N型外延层、绝缘介质层、正面金属层，N型外延层端面一边到另一边依次设P+隔离层、N+多晶硅和P型基区；P+隔离层穿通至P+衬底层；N+多晶硅、P型基区两个区域中均设P+源区、N+源区。超低压触发器件的制作方法，包括如下步骤：淀积N型外延层；高温推进形成P+隔离层；淀积N+多晶硅，露出N型外延层；推结形成P型基区；在N+多晶硅、P型基区区域中，形成P+源区，随后光刻注入高浓度N型杂质形成N+源区；淀积绝缘介质层，完成正面金属层；淀积背面金属电极。本发明有效减少成本及触发电压，拥有超低触发电压及强泄放电荷能力。
基本信息
专利标题 ：
超低压触发器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021225167.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-29
授权号 ：
CN212750894U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
杨珏琳宋文龙李泽宏张鹏
申请人 ：
成都吉莱芯科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
查鑫利
优先权 ：
CN202021225167.5
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/06 H01L21/8222
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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