径向磁控管波导激励腔

授权

摘要

本实用新型涉及波导激励腔技术领域，具体是径向磁控管波导激励腔，用于解决现有技术中磁控管天线与矩形波导的输出端口正交，从而导致微波源整体高度高体积大，且空间利用率变低的问题。本实用新型包括从上到下相互连接的激励腔体和底部盖板，所述激励腔体包括依次成型为一体的矩形波导段、转弯波导段和匹配波导段，所述底部盖板上开有可让磁控管天线伸入矩形波导段内的输入端口，所述输入端口的中心线与匹配波导段的中心线相互平行。本实用新型通过转弯波导段改变波导的方向，最终使磁控管天线的长方向与匹配波导段的输出端口相互平行，这样可以有效的压缩微波系统中磁控管的安装高度，使微波源体积更小，空间利用率更高，微波损耗更低。

基本信息

专利标题：

径向磁控管波导激励腔

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021246168.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-30

授权号：

CN212162048U

授权日：

2020-12-15

发明人：

袁博

申请人：

四川三三零半导体有限公司

申请人地址：

四川省成都市高新区益州大道中段599号13栋1618号

代理机构：

成都弘毅天承知识产权代理有限公司

代理人：

陈仕超

优先权：

CN202021246168.8

主分类号：

H01P3/123

IPC分类号：

H01P3/123 H01J25/50 H01J23/34