一种用于MPCVD的气体抽空结构
授权
摘要
本实用新型涉及气体抽空结构技术领域，具体是一种用于MPCVD的气体抽空结构，用于解决现有技术中反应器高温气体不能及时流出，使反应器内的温度升高，以及工艺气体不能有效的流过钼托盘，从而降低了金刚石膜及单晶金刚石的生长效率的问题。本实用新型包括紫铜托盘和钼托盘，所述钼托盘安装在紫铜托盘的顶面，所述钼托盘的边缘均匀的开有多个通孔，所述紫铜托盘内安装有芯管，所述紫铜托盘内还开有连通芯管和通孔的气体通道。本实用新型通过通孔降低经过钼托盘的热通量，使钼托盘表面的温度场更均匀；同时通孔形成的气体通路能够将工艺气体从钼托盘的边缘有效排出，改善了反应器内部的流场分布，从而提高金刚石膜及单晶金刚石的生长效率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于MPCVD的气体抽空结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021257466.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN212560429U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
袁博
申请人 ：
四川三三零半导体有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区益州大道中段599号13栋1618号
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈仕超
优先权 ：
CN202021257466.7
主分类号 ：
C23C16/27
IPC分类号 ：
C23C16/27 C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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