一种碳化硅外延设备的CVD反应模块
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅外延设备的CVD反应模块，包括石英壳体、进气法兰和尾端法兰，石英壳体内设置有加热层和保温层，加热层有多个替换件，替换件内部顶面的弧度不同，所述作业腔内还设置有用于盛放晶圆的托盘，所述加热层内对应托盘的周围还设置有内衬，所述托盘下方设置有用于支撑托盘的顶盘，所述顶盘的底部向外延伸伸展有升降杆。上述技术方案的有益效果为：在内衬的厚度增加至托盘无法正常进行CVD工艺时，将托盘位置略微升高，保证能够继续进行CVD工艺，最终达到延长内衬使用寿命的目的，通过替换具有不同弧度顶面的加热层能够调整作业腔内的温度场，使得作业腔内的温度更加均匀，进而使得晶圆上形成膜的厚度更加均匀。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅外延设备的CVD反应模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021309818.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-07
授权号 ：
CN212247270U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
刘子优肖蕴章钟国仿陈炳安张灿
申请人 ：
深圳市纳设智能装备有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明区凤凰街道凤凰社区观光路招商局光明科技园A6栋1B
代理机构 ：
北京酷爱智慧知识产权代理有限公司
代理人 ：
袁克来
优先权 ：
CN202021309818.9
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B25/10 C30B25/12 C30B25/14 C23C16/32 C23C16/458 C23C16/46 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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